ЗАКУПКА №32515294638
Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
СЧ ОКР "Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga,Al)N"
6 200 000
Начальная ценаРазмещено
13.10.2025 12:20:30 (МСК)
Объекты закупки
| Наименование товара, услуги, работы по КТРУ | Код позиции | Ед. изм. | Количество | Стоимость, руб. |
|---|---|---|---|---|
| СЧ ОКР "Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga,Al)N" | 6200000 | |||
| Позиция лота №1 | 72.19.21.000 | 1 | ||
| Итого | 6200000 | |||
Дополнительная информация
Регион
город Санкт-ПетербургОрганизация, определяющая поставщика (подрядчика, исполнителя)
Организация, осуществляющая размещение
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Почтовый адрес
194021, г Санкт-Петербург, ул Политехническая, дом 26, корпус з, офис (квартира) 608
Место нахождения
194021, УЛ. ПОЛИТЕХНИЧЕСКАЯ, Д. 26, ЛИТЕР З, КАБИНЕТ 608
Ответственное должностное лицо
Хлебникова М. В.
Адрес электронной почты
info@ntcm-ras.ru
Организатор
Организация, осуществляющая размещение
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Почтовый адрес
194021, г Санкт-Петербург, ул Политехническая, дом 26, корпус з, офис (квартира) 608
Место нахождения
194021, УЛ. ПОЛИТЕХНИЧЕСКАЯ, Д. 26, ЛИТЕР З, КАБИНЕТ 608
Ответственное должностное лицо
Хлебникова М. В.
Адрес электронной почты
info@ntcm-ras.ru
Ссылка на официальный сайт
Документация
Аналитика госзакупок
Даст полную статистику о прошедших торгах:
- Покажет, какие контракты заключаются и на каких условиях;
- Покажет участников и их ценовые предложения;
- Покажет контактные данные победителей;
- Покажет % снижения.
К аналитике
Другие торги заказчика
Оказание услуг по изготовление тестовых элементов и измерение электрофизических параметров буферных слоев (Аl, Ga)N
500 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
21.09.2026 14:09:50 (МСК)
№32616394391 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
Оказание услуг по компьютерному моделированию эпитаксиального роста гетероструктур на основе соединений GaN на подложках карбида кремния (SiC) диаметром до 150 мм.
1 712 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
18.09.2026 11:57:28 (МСК)
№32616390489 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
Оказание услуг по измерению параметров макетных образцов активной области светодиодных гетероструктур с длиной волны 460 и 525 нм
299 876 ₽
Начальная ценаРазмещено
11.09.2026 15:21:38 (МСК)
№32616372641 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
Выполнение составной части ОКР "Моделирование процессов газофазного осаждения светодиодных гетероструктур синего и зеленого цветов свечения в реакторе АО "Оптрон""
3 500 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
25.08.2026 15:18:29 (МСК)
№32616321311 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
Измерение параметров гетероструктур на основе GaN
2 060 580 ₽
Начальная ценаРазмещено
14.08.2026 12:04:23 (МСК)
№32616293356 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
НИР «Разработка рекомендаций по проведению технологических процессов выращивания светодиодных гетероструктур УФ-диапазона с длиной волны 360-380 нм на реакторах различной конструкции»
1 000 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
16.04.2026 15:22:47 (МСК)
№32615920782 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
Измерение параметров гетероструктур на основе GaN
2 003 240 ₽
Начальная ценаРазмещено
16.03.2026 16:03:06 (МСК)
№32615802252 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов»
1 600 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
06.03.2026 11:18:18 (МСК)
№32615776999 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
СЧ ОКР «Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga,Al)N на подложках SiC и слоев (Ga,Al)N с p-слоем на подложках Si»
3 000 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
16.02.2026 13:50:04 (МСК)
№32615710499 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург
Измерение параметров гетероструктур на основе GaN
1 000 000 ₽
Начальная ценаРазмещено
28.10.2025 14:12:00 (МСК)
№32515346326 / Иной способ. Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика)
Организатор/Заказчик: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Регион: город Санкт-Петербург